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介绍国巨贴片电容的种类和特点
12-09单片陶瓷电容器(俗称贴片电容)是目前常用比较多的元器件。就国巨公司生产的贴片电容而言,有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同规格。不同的规格有不同的用途。下面我们就来介绍一下常用的NPO、X7R、Z5U、Y5V的性能和应用,以及在采购中应该注意的订货事项,以引起大家的关注。以上不同性能的电容,不同公司可能会有不同的命名方式。
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贴片电容的静电容量测量方法
12-091. 测量仪器一般使用LCR测试仪测量陶瓷电容器的静电容量。LCR测试仪LCR测试仪的外观照片2. 测量原理LCR测试仪的代表性测量方法如图所示,为自平衡电桥法。其原理如下。DUT为Device Under Test的缩写,指测量对象。高增益放大器会自动调整增益,使通过电阻R的电流与通过DUT的电流相等,DUT 的低电位侧(图中L一侧)一直处于虚拟
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CDE电解电容发展史
12-09就现在的产量来说,铝电解电容器在电容器中占第二位.这类电容器本来是一般的直流电容器,但现在已经从直流发展到交流、从低温发展到高温、从低压发展到高压、从通用型发展到特殊型、从一般结构发展到片式、扁平、书本式等结构。其上限容量已扩展到4F左右,使用频率已达到30kHz,工作温度范围已达到-55℃-125℃,有的甚至高到
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IGBT研发进展
12-09IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输进阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本
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IGBT对比
12-09输出特性与转移特性:IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时,集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似,也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的
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EPCOS产品特色
12-09性能卓越爱普科斯(EPCOS)开发、制造和销售电子元件模块和系统,重点关注增长迅速的尖端技术市场,范围包括汽车电子产品、信息和通信技术、工业电子产品和消费电子产品。在陶瓷元件、电容器和电感器等领域,爱普科斯的产品始终代表着卓越的电子性能。用途广泛几乎所有的电气和电子产品都需要用到电子元件。一辆小汽车便可能